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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2341
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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