RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2341
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link