RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2341
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link