RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2196
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link