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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
2196
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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