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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.0
14.6
写入速度,GB/s
7.2
7.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2196
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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