Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Puntuación global

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

11 7.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.2 6.8

Valor medio en las pruebas

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 43

En -10% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

43 39
Velocidad de lectura, GB/s

11.0 7.7
Velocidad de escritura, GB/s

7.2 6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 17000

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1393 1768

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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