RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3500
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link