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TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Compara
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Puntuación global
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
41
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2698
2685
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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