RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB

TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB 考慮すべき理由
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 41
    周辺 39% 低遅延
Kingston 9905744-077.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.8 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2698 left arrow 2685

TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
メモリRAM
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
メモリRAM