RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
46
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
20
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3359
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link