RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
22.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
4051
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link