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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
14.2
22.3
写入速度,GB/s
13.6
20.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
4051
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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