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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
81
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
81
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
1634
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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