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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
2686
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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