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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
总分
AMD R748G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R748G2400U2S 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
23
读取速度,GB/s
17.7
16.4
写入速度,GB/s
12.7
11.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3075
2686
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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