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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
54
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
50
读取速度,GB/s
4,967.4
13.4
写入速度,GB/s
1,973.5
7.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
1976
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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