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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 59
    左右 -59% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 12.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2939

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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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内存RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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