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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
63
左右 -186% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
22
读取速度,GB/s
8.1
18.1
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3172
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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