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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
16.1
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3272
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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