RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
27
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
2172
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link