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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
37
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
2990
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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