Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

总分
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

总分
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    22 left arrow 37
    左右 41% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.7 left arrow 16.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.4 left arrow 12.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    22 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    17.7 left arrow 16.8
  • 写入速度,GB/s
    12.7 left arrow 13.4
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3075 left arrow 2990
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RAM 1
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