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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3116
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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