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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
17.2
写入速度,GB/s
1,884.0
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3116
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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