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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
77
En -185% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3827
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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