RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3827
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link