RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2966
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link