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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
3206
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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