RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3206
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link