RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
4084
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link