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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
3648
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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