RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
3899
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link