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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
2126
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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