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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
36
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
2633
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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