RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Compara
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
11.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2382
3430
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link