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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
11.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
15.1
19.5
写入速度,GB/s
11.6
14.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2382
3430
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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