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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.7
16.1
写入速度,GB/s
7.5
13.0
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2987
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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