RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2987
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link