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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En -16% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2191
2298
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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