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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
14.9
13.4
写入速度,GB/s
11.6
9.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2191
2298
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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