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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En -116% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2511
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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