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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
55
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
55
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2902
2701
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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