RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
55
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
12.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
55
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2902
2701
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link