Comparación de la memoria RAM SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Puntuación global

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 61

En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.4 2,042.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 6400

En 3 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

860 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns