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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Compara
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,042.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
61
En -177% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,448.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,042.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
860
2801
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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