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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
比较
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
总分
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,042.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
61
左右 -177% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
22
读取速度,GB/s
4,448.3
17.4
写入速度,GB/s
2,042.4
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
860
2801
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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