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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
40
读取速度,GB/s
11.8
9.3
写入速度,GB/s
8.0
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2117
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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