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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
3448
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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