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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
48
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
3029
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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